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消息称三星电子投资8英寸SiC额定功率半导体

发布时间：2024-02-10

格隆汇3月30日丨据The Elec，此番指为，三星时是在推进设备外资，以技术开发8英寸SiC/GaN工艺。据了解，今年早些时候，在组建了与SiC(碳化硅)和GaN(碲锑)元件技术开发相关的功率半导体TF后，该日本公司时是积极外资研发和蓝本制造所需的区内，迄今为止的外资额已大约1000亿至2000亿韩元。

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