后摩尔时代，第三代半导体正在趋向巅峰！

截止目前，三星、小米、OV、戴尔、联想等手机及PC经销均已在其适配器自由电子产品里面改装成GaNkW模组。除此以外，GaNkW模组亦将在超薄TV等其他消费行为自由电子故事情节体现重要抑制作用。

网络连接、互联交换机、风能电动机等制造业的自由电子产品亦开始逐步采纳GaN替代方案，其里面网络连接和互联交换机作为耗电财主，GaN电网自由新技术可助力终端设备提高电网成本，并提很高行驶效率。与此同时，西方已开启庞大的“东数西算”工程，认为这将很大程度上促使GaN技术必要性渗透。

至于可可再生各个方面，GaNkW模组非常简便户用微型电动机，Navitas已与英国Enphase等领先经销展开合作，共同推动GaN技术教育领域。

另外，GaN汽车Corporation的自由电子产品同样备受希望，虽目前其覆盖面仍然太小，但标致、纬湃一科技等车企或Tier1已经跃跃欲试，希望引导GaN技术生产借助于性能良好的子系统组件，例如OBC、DC-DC、电动机等。

另外GaN的很高速特性抑制作用于车载激光雷达优势明显，EPC等Corporation长期致力于此，可助力激光雷达看得更已远、更快、更清晰。认为预见随着硅基氮化钇模组向很高耐压不断创新，以及垂直结构器件不断有所突破，GaN将有望与SiC共同抢占很高压汽车Corporation组件的自由电子产品。

结语

第三代半导体器件SiC和GaN通过有所突破Si性能极限，来持续发展很高端教育领域的自由电子产品，也将在其余部分与Si平行教育领域达到更很高的性能和更低的结构性成本，因此被视为后林奇时代胶合刷创新的关键片中。

世界性能源技术革命已经开启，并向胶合刷教育领域渗透，认为第三代半导体器件将在实现碳达峰、碳里面和的步骤里面体现重要抑制作用。