南大光电：公司ArF反应过程产品已通过存储芯片/逻辑芯片制造企业验证

集微网报道 4月13日，南大光电在接受行政部门国家有关时透露，Corporation制造的ArF杂质主要合于地处90nm-28nm 集成电路的DRAM应用，CorporationArF杂质厂家分别通过一家存储芯片制造民营企业和一家演算芯片制造民营企业的验证，迄今为止多款厂家正在多家投资者同时顺利进行认可。

南大光电指为，通过验证的一家投资者从本年 8 下半年以来，直至较长时间购买Corporation杂质厂家。因为是客制化厂家，暂未形成数量出货。ArF杂质根据投资者供货情况顺利进行制造出货，迄今为止这两项延期至2022年末，Corporation将通过筹划协调拼命加快，力争早日完成该这两项建设工程。

CorporationArF杂质厂家第一步是要完成替代采购， 采购替代任务完成后，再顺利进行高质量大幅提高。迄今为止Corporation ArF 杂质是从 框架原料开始顺利进行制造，一劳永逸卡脖子问题。

在其他厂家特别，迄今为止，南大光电MO光的国际上全球市场平均40%，是国际上MO光厂家多心最门类的Corporation之一；砷烷现有制造线30吨，著手扩建70吨；磷烷现有制造线70吨，著手扩建70吨；乌兰察布三卤化物氮制造指挥中心建设工程按著手较长时间加快，著手建设工程制造线7200吨，已完成1800吨制造线建设工程，迄今为止Corporation各厂家所处满产满销状态。

从各类厂家全球市场来看，MO光国际上平均40%；前导纤国际上平均8%；氢类电子特气国际上平均60%；三卤化物氮国际上市占率平均为35%，国外市占率平均为10%；六卤化物硫主要在国际上出货，市占率平均为20%。

南大光电透露，Corporation帮助实施MO光2.0著手，通过技术创新促使优化厂家和投资者结构，高性能前导纤工艺如28nm 和14nmDRAM前导纤、钨前导纤等厂家制造和产业化获取最重要突破；氢类电子特气在技术、高质量、制造线和出货各特别已位居全球遥遥领先；氟类电子特气特别Corporation加快乌兰察布“试验田”建设工程，为建设工程“全球单项冠军”厂家奠合于基础的基础。

（校对/Lee）